Güclü elektron avadanlıqlarda GTO snubber kondensatoru

Qısa Təsvir:

Snubber dövrələri kommutasiya dövrələrində istifadə olunan diodlar üçün vacibdir. Bu, diodu tərs bərpa prosesi zamanı yarana biləcək həddindən artıq gərginlik sıçrayışlarından qoruya bilər.

Bizə e-poçt göndərin PDF olaraq yükləyin

Məhsul Ətraflı

Məhsul Etiketləri

Texniki məlumatlar

İşləmə temperaturu diapazonu	Maksimum işləmə temperaturu.,Yuxarı,maks: + 85℃Yuxarı kateqoriya temperaturu: +85℃Aşağı kateqoriya temperaturu: -40℃
tutum diapazonu	0.22～3μF
Nominal gərginlik	3000V.DC～10000V.DC
Kapitan	±5%(J) ; ±10%(K)
Gərginliyə tab gətirin	1.35Un DC/10S
Yayılma faktoru	tgδ≤0.001 f=1KHz
İzolyasiya müqaviməti	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S-də) C>0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S-də)
Zərbə cərəyanına tab gətirin	məlumat vərəqinə baxın
Ömür gözləntisi	100000h(Un; Θhospot≤70°C)
İstinad standartı	IEC 61071;

Xüsusiyyət

1. Milar lent, qatranla möhürlənmiş;

2. Mis qayka telləri;

3. Yüksək gərginliyə, aşağı tgδ-yə, aşağı temperatur artımına müqavimət;

4. aşağı ESL və ESR;

5. Yüksək impuls cərəyanı.

Tətbiq

1. GTO Snubber.

2. Pik gərginlik, pik cərəyan udma qorunması olduqda güc elektron avadanlıqlarında geniş istifadə olunur.

Tipik dövrə

Kontur rəsm

Xüsusiyyət

Un=3000V.DC
Tutum (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	İpk(A)	İrms(A)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0.33	43	44	52	25	1000	330	35
0.47	51	44	52	22	850	399	45
0.68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Tutum (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	İpk(A)	İrms(A)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0.33	52	60	72	25	1200	396	45
0.47	62	60	72	25	1000	470	50
0.68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Tutum (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	İpk(A)	İrms(A)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0.68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Tutum (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	İpk(A)	İrms(A)
0.33	35	90	102	30	1100	363	25
0.47	41	90	102	28	1000	470	30
0.68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Tutum (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	İpk(A)	İrms(A)
0.33	45	114	123	35	1500	495	30
0.47	54	114	123	35	1300	611	35
0.68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70